Il substrato ceramico al nitruro di silicio vanta numerosi vantaggi, come alta resistenza, alta tenacia e eccezionale conducibilità termica (130W/(m-k)). Inoltre, il suo coefficiente di espressione termica corrisponde molto a quello dei semiconduttori Si, SiC e GaN. Di conseguenza, il substrato ceramico al nitruro di silicio è una scelta ideale per il confezionamento di moduli ad alta potenza, rendendolo ampiamente considerato l'opzione di substrato ceramico più adatta.
La nostra azienda utilizza il processo di nitrurazione diretta per produrre polvere di silicio ad alta purezza. Attraverso la nostra tecnologia brevettata unica, controlliamo il materiale di silicio, il processo di nitrurazione e il processo di raffinazione per preparare polvere di nitruro di silicio CF-HJ con alta purezza, alto contenuto di fase, distribuzione ristretta delle particelle e un'eccezionale attività di sinterizzazione. Questo tipo di polvere di nitruro di silicio ha efficacemente eliminato i monopoli stranieri e può fungere da sostituto pienamente valido della polvere di nitruro di silicio importata dello stesso livello qualitativo.
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Item di prova |
Unità |
Intervallo indice |
Attrezzatura o metodo di prova |
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α fase |
% |
≥90 |
Diffrattometro a raggi X JC/T 2342-2015 |
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Fe |
ppm |
≤200 |
Metodo di assorbimento atomico ISO10058-3:2008 |
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Al |
ppm |
≤200 |
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Ca |
ppm |
≤200 |
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N |
% |
≥38.5 |
Apparecchiatura a azoto Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
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Frss Si |
% |
<0.2 |
Gas volumetrico methpd GB/T 16555-2017 |
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C |
% |
≤0.10 |
Analizzatore di carbonio a infrarossi ad alta frequenza GB/T 16555-2017 |
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D50 |
μm |
≤0,9 |
Analizzatore laser per dimensioni delle particelle GB/T19077-2016 |
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O |
% |
≤1.4 |
Metodo di conducibilità termica a infrarossi a impulsi di gas inerti GB/T 16555-2017 |
